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分立半导体

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IGW30N100TFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
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库存：5,665(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.3411
42.3411
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1993
3119.93
250
¥29.5834
7395.85
500
¥26.5889
13294.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
412 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N100T IGW3N1TXK SP000380845
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格，IGW30N100TFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N4120C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥154.9908
250:¥142.2331
500:¥135.3175
参考库存:42035
JAN1N3822C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥124.7068
250:¥113.6441
500:¥106.3443
参考库存:42040
JANTXV1N3032D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥242.1251
250:¥222.2258
参考库存:42045
2EZ11D2/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥12.3735
4,500:¥11.9102
参考库存:42050
1N5739C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
256:¥27.8884
500:¥25.0521
1,000:¥21.131
2,500:¥20.0575
参考库存:42055

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    50万现货SKU

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