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分立半导体

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FZ300R12KE3G

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数量单价合计
1
¥748.1165
748.1165
5
¥734.3644
3671.822
10
¥701.3232
7013.232
25
¥677.9548
16948.87
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
480 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
EUPEC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Stud
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ300R12KE3GHOSA1 SP000100743
商品其它信息
优势价格,FZ300R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHANBE (CN1) XTR
1:¥3.7629
10:¥3.0849
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:18569
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥7.9891
10:¥6.8139
100:¥5.2432
500:¥4.6217
参考库存:6591
分立半导体
稳压二极管 200MW 6.0V
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:66303
分立半导体
稳压二极管 200MW 6.2V
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:50100
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 250mW
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:10597
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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