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分立半导体
CSD17505Q5A参考图片

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CSD17505Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,NCh NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1981
3599.05
2,500
¥5.5596
13899
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17505Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
6.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17505Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC, SBD 650V 15A D2PAK
1:¥45.3356
10:¥38.4991
100:¥33.3463
250:¥31.6626
500:¥28.4308
1,000:¥23.9786
参考库存:6125
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary power transistors
1:¥20.1366
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5897
分立半导体
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:2709
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMB REG 3W
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.7176
参考库存:27931
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥48.1832
10:¥38.7251
100:¥35.2673
250:¥31.8095
参考库存:4208
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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