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分立半导体
IRG4RC10SDTRPBF参考图片

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IRG4RC10SDTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
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1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.667
6667
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001542118
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，IRG4RC10SDTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EGL41DHE3_A/I
Vishay Semiconductors
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整流器 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified
10,000:¥0.95259
25,000:¥0.87575
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3EZ47DE3/TR8
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1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
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BZG05B30-HM3-08
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12,000:¥1.3108
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EGF1AHE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified
6,500:¥1.5594
13,000:¥1.4577
19,500:¥1.3786
参考库存:31570

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