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分立半导体
IPA126N10N3 G参考图片

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IPA126N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3
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库存：49,271(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6049
3802.45
1,000
¥6.3054
6305.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPA126N10N3GXKSA1 IPA126N1N3GXK SP000485964
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA126N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-307U200
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO9 BRAZ RND
12:¥644.9927
36:¥623.5566
60:¥614.946
108:¥580.6053
参考库存:30052
DMP2101UCB9-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
3,000:¥2.5538
参考库存:30057
VF40100C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A,100V,TRENCH SKY RECT.
1,000:¥7.2998
参考库存:30062
1N4758CPE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:30067
GP10-4006E-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
11,000:¥0.791
22,000:¥0.72207
参考库存:30072

  • 海量现货

    50万现货SKU

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