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分立半导体
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IPB65R065C7

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
171 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB65R065C7ATMA1 SP001080110
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，IPB65R065C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1FLD-GS18
Vishay / Siliconix
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整流器 GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
1:¥3.0736
10:¥1.7176
100:¥0.92208
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参考库存:52228
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10,000:¥0.22261
20,000:查看
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3,000:¥3.9776
9,000:¥3.8307
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  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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