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分立半导体
AUIRFR8401参考图片

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AUIRFR8401

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A
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库存:5,434(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
CoolIRFet
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
198 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7.9 ns
零件号别名
SP001518132
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRFR8401的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Single High-speed switching
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:64237
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:3139
分立半导体
整流器 RAIL PN DIODE
1:¥8.6784
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:21746
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V
1:¥594.2783
5:¥576.9102
10:¥564.548
25:¥540.8745
参考库存:3093
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.4469
10:¥11.30
25:¥9.5259
100:¥8.6784
2,000:¥5.9438
4,000:查看
参考库存:9805
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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