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分立半导体
NVMFD5C466NLT1G参考图片

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NVMFD5C466NLT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V LL S08FL DS
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库存:12,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.763
57.63
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9098
1954.9
1,500
¥2.7459
4118.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms, 6.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC, 16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C466NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
33 S, 33 S
下降时间
60 ns, 60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
67 ns, 67 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns, 26 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFD5C466NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
1:¥28.6568
10:¥24.3628
100:¥21.131
250:¥19.9784
参考库存:3957
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Diode
1:¥1,136.3054
5:¥1,108.2588
10:¥1,081.6021
25:¥1,042.3346
参考库存:27580
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,059.2394
5:¥1,023.5879
10:¥990.0043
25:¥955.3472
参考库存:27585
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
50:¥1,067.4658
参考库存:27590
分立半导体
MOSFET N-Channel 150-V D-S
2,500:¥11.752
参考库存:27595
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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