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分立半导体
IPD096N08N3GATMA1参考图片

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IPD096N08N3GATMA1

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库存:30,442(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.1642
71.642
100
¥5.5031
550.31
500
¥4.859
2429.5
2,500
¥3.4013
8503.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
G IPD096N08N3 SP001127826
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPD096N08N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:66162
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整流器 Std Rectifier
1:¥566.3899
5:¥542.5695
10:¥533.0436
25:¥499.686
参考库存:2399
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:15211
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 4A
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:13283
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:23520
  • 海量现货

    50万现货SKU

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