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分立半导体
SIZ320DT-T1-GE3参考图片

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SIZ320DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
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库存:34,722(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.8647
58.647
100
¥4.4522
445.22
500
¥3.6725
1836.25
3,000
¥2.6668
8000.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
30 A, 40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.24 mOhms, 8.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 12 V, 16 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC, 17.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16.7 W, 31 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S, 68 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns, 45 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 12 ns
商品其它信息
优势价格,SIZ320DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 600 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM
1:¥4.2262
10:¥3.2092
100:¥2.2148
500:¥1.8532
参考库存:36666
分立半导体
IGBT 晶体管 30A 1200V short circuit rugged IGBT
1:¥33.5836
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:5828
分立半导体
整流器 1400 Volt 85 Amp
1:¥134.3118
10:¥122.0965
20:¥112.9548
50:¥106.8076
参考库存:4560
分立半导体
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp
1:¥12.0684
10:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:12672
分立半导体
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
1:¥5.8421
10:¥4.8251
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
参考库存:22654
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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