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分立半导体
STD3N95K5AG参考图片

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STD3N95K5AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.831
98.31
100
¥7.6049
760.49
500
¥6.7235
3361.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
950 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
3.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
系列
STD3N95K5AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20.5 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
商品其它信息
优势价格,STD3N95K5AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥2.6894
10:¥2.0453
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1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
850:¥1.243
参考库存:15938
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