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分立半导体
FF300R12KT4PHOSA1参考图片

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FF300R12KT4PHOSA1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
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数量单价合计
1
¥1,018.5142
1018.5142
5
¥998.5358
4992.679
10
¥951.9685
9519.685
25
¥932.0692
23301.73
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4P SP001056206
商品其它信息
优势价格，FF300R12KT4PHOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSUD400CW20
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Volt 400 Amp
1:¥436.5303
5:¥428.4621
10:¥410.7889
25:¥397.9521
参考库存:56852
NVMFS6B03NLWFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥22.2836
参考库存:56857
SMAJ4758A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 1W 56Vz 4.5mA 110Ohm 5uA 42.6Vr 0.25mA
7,500:¥0.63054
22,500:¥0.59212
45,000:¥0.53788
参考库存:56862
GBU4M
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1000V 4A Bridge Rectifier
1:¥8.6106
10:¥7.6049
25:¥6.8704
100:¥6.0116
参考库存:56867
IPI70N12S3L12AKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:10010

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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