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分立半导体
FF300R12KT4PHOSA1参考图片

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FF300R12KT4PHOSA1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
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数量单价合计
1
¥1,018.5142
1018.5142
5
¥998.5358
4992.679
10
¥951.9685
9519.685
25
¥932.0692
23301.73
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4P SP001056206
商品其它信息
优势价格，FF300R12KT4PHOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5244B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:32371
Q4008N4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 400V 8A 25-25-25mA
1:¥15.9104
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.8366
1,000:¥7.3224
参考库存:32376
F1842DH1600
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 40A 600VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥619.4095
10:¥614.8782
25:¥600.7306
50:¥586.5943
100:¥569.5426
参考库存:32381
1N5249B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:32386
RJK0305DPB-02#J0
Renesas Electronics
分立半导体
MOSFET Power MOSFET
1:¥11.6842
10:¥10.2943
25:¥9.2999
100:¥8.1473
2,500:¥4.6217
5,000:查看
参考库存:18138

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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