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分立半导体
SIHB35N60EF-GE3参考图片

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SIHB35N60EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:8,743(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.8669
49.8669
10
¥41.3354
413.354
100
¥34.0356
3403.56
250
¥32.9621
8240.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
97 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
134 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
EF
晶体管类型
1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
优势价格,SIHB35N60EF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 100 Volt 350mA 4ns
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.72207
500:¥0.61472
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:72622
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.5 Watt
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
2,500:¥0.27685
5,000:查看
参考库存:66189
分立半导体
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:49201
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1A
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:192763
分立半导体
MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:154150
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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