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分立半导体
NTMFS6H818NT1G参考图片

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NTMFS6H818NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.6622
236.622
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.436
4859
1,500
¥13.9894
20984.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
123 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
98 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格，NTMFS6H818NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK50E08K3,S1X(S
Toshiba
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暂无价格
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥9.831
8,000:¥9.4468
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100:¥24.6679
290:¥24.6679
500:¥22.1254
1,000:¥18.6676
2,500:¥17.7523
参考库存:52726

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