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分立半导体
SQD40031EL_GE3参考图片

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SQD40031EL_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥11.4469
114.469
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.119
3559.5
2,000
¥5.0624
10124.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1. 5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
186 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
204 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
126 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格,SQD40031EL_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:66162
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整流器 Std Rectifier
1:¥566.3899
5:¥542.5695
10:¥533.0436
25:¥499.686
参考库存:2399
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:15211
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 4A
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:13283
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:23520
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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