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分立半导体
SIDR668DP-T1-GE3参考图片

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SIDR668DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
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库存:6,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥18.6676
186.676
100
¥14.5205
1452.05
500
¥12.6786
6339.3
3,000
¥9.7632
29289.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8DC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
95 A
Rds On-漏源导通电阻
5.05 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
7.5 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SID
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格,SIDR668DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 40V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
3,000:¥0.58421
9,000:查看
参考库存:9037
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 1000 Volt 220 Amp IFSM
1:¥10.7576
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥5.6274
参考库存:9284
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VRM=40 IFSM=360
1:¥26.1256
10:¥22.5887
100:¥20.2044
250:¥18.8258
参考库存:4496
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Schottky 200mW
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.90626
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.29154
参考库存:73268
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
2,500:¥1.8419
参考库存:209980
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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