C4D10120H详细信息_C4D10120H相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-247-2
If - 正向电流	31.5 A
Vrrm - 重复反向电压	1200 V
Vf - 正向电压	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流	67 A
配置	Single Dual Anode
技术	SiC
Ir - 反向电流	30 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Tube
商标	Wolfspeed / Cree
Pd-功率耗散	153 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	30
子类别	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压	1200 V

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STD5NK40Z-1	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A	1:¥9.831 10:¥8.3733 100:¥6.4297 500:¥5.6839	参考库存:19527
FQU2N60CTU	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series	1:¥7.1416 10:¥6.1359 100:¥4.7234 500:¥4.1697	参考库存:29114
ZXT13N50DE6TA	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Low Sat	1:¥5.1528 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148 3,000:¥2.2148	参考库存:139971
FDMS0309AS	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET PT8 NCH 30/20V S PQF	1:¥5.763 10:¥4.8364 100:¥3.1188 1,000:¥2.4973 3,000:¥2.1018	参考库存:18883
MRF158	MACOM	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB	1:¥207.468 10:¥191.874 25:¥184.1109 50:¥176.3478 100:¥163.8952	参考库存:4655