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分立半导体
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IKQ40N120CH3XKSA1

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1
¥70.7719
70.7719
10
¥63.9354
639.354
25
¥60.9296
1523.24
100
¥52.9405
5294.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO247-3-46
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKQ40N120CH3 SP001272706
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKQ40N120CH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB60R125CP
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30:¥1,383.8093
50:¥1,383.7302
参考库存:33455

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    明码标价节省时间成本

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