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分立半导体
TK9A60D(STA4,Q,M)参考图片

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TK9A60D(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
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1
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10
¥14.4414
144.414
100
¥12.9837
1298.37
500
¥10.0683
5034.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
830 mOhms
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK9A60D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK9A60D(STA4,Q,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
679-4
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25:¥1,093.049
参考库存:45112

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