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分立半导体
AUIRGP4062D参考图片

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AUIRGP4062D

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST COPACK TRENCH IGBT
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数量单价合计
1
¥62.1613
62.1613
10
¥56.1723
561.723
25
¥53.562
1339.05
100
¥46.4882
4648.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
250 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511212
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，AUIRGP4062D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:26126
BZX384B4V3-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:79926
MMSZ4708-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:26133
GDZ6V8B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.8Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:26138
BAV19W-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 120V 625mA 1A IFSM
1:¥2.3843
10:¥1.5707
100:¥0.77631
500:¥0.66105
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:26143

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    50万现货SKU

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