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分立半导体
NTMS4816NR2G参考图片

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NTMS4816NR2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
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库存:25,298(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
2,500
¥1.6724
4181
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
12.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.04 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTMS4816N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.6 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,NTMS4816NR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:23625
分立半导体
IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5998
250:¥17.5941
500:¥15.8313
参考库存:6987
分立半导体
IGBT 晶体管 600 Volt 15 Amp
1:¥374.0526
5:¥364.1425
10:¥350.0062
25:¥323.6546
参考库存:4229
分立半导体
整流器 200V VR 0.5A IO SOD-123FL; PMDU
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0286
3,000:¥5.4127
6,000:查看
参考库存:33431
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
参考库存:9203
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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