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分立半导体
IRF1010ZPBF参考图片

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IRF1010ZPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
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1
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11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
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3446.5
1,000
¥5.7178
5717.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
94 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001553844
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STTH1R06
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STP9NM60N
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10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
参考库存:8930

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