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分立半导体
IRF6617TRPBF参考图片

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IRF6617TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.2772
727.72
500
¥6.4297
3214.85
4,800
¥4.4974
21587.52
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-ST
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
10.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001531694
商品其它信息
优势价格，IRF6617TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB150NF55T4
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:6878
STGIPS30C60
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 30A 600V IGBT
1:¥186.8003
5:¥184.8793
10:¥172.2798
25:¥164.5958
参考库存:3615
SIHG050N60E-GE3
Vishay
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥75.5292
10:¥68.0034
25:¥61.9353
100:¥55.935
参考库存:5942
STF15N95K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:7704
STW56N60M2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥50.7935
10:¥45.9458
25:¥43.7988
100:¥38.0358
参考库存:7681

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    50万现货SKU

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