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分立半导体
IPP034N03L G参考图片

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IPP034N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6162
761.62
500
¥6.7348
3367.4
1,000
¥5.3223
5322.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
零件号别名
IPP034N03LGXKSA1 IPP34N3LGXK SP000680772
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP034N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
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参考库存:42033
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1:¥592.3573
2:¥580.6844
5:¥574.379
10:¥556.4007
参考库存:42038
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1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:42043
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥189.7948
5:¥181.2633
10:¥175.5794
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1:¥878.2021
5:¥862.0657
10:¥823.2615
25:¥795.8364
参考库存:42053
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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