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分立半导体
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2SC3649T-TD-H

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 160V
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10
¥3.9776
39.776
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.0566
2056.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
130 mV
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC3649
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
56 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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