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分立半导体
NGTB40N135IHRWG参考图片

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NGTB40N135IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1350V/40A IGBT FSII TO-24
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10
¥34.9622
349.622
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB40N135IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，NGTB40N135IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5952B G
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥34.578
10:¥27.8206
100:¥25.3572
250:¥22.826
参考库存:29459
JANTX1N963B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥23.2102
338:¥23.2102
500:¥20.8259
1,000:¥17.515
2,500:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:29464
FR305-T
Rectron
分立半导体
整流器 3A 600V 250ns
3,600:¥1.5368
6,000:¥1.2882
12,000:¥0.95259
30,000:¥0.80682
60,000:¥0.69156
120,000:¥0.61472
参考库存:29469
FM1100-W
Rectron
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SMA 1A 100V Schottky
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.29945
参考库存:29474
RN2310(TE85L,F)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:29479

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