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分立半导体
TK35N65W5,S1F参考图片

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TK35N65W5,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
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数量单价合计
1
¥63.5512
63.5512
10
¥57.1667
571.667
25
¥52.093
1302.325
100
¥47.0306
4703.06
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK35N65W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK35N65W5,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT60D100SG
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10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:14847
DTA143ECAT116
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10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:38557
B190BQ-13-F
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1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:9844

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