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分立半导体
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FDD4N60NZ

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库存：7,205(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3901
53.901
100
¥3.4804
348.04
1,000
¥2.7798
2779.8
2,500
¥2.3391
5847.75
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
产品
MOSFET
系列
FDD4N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.4 S
下降时间
12.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30.2 ns
典型接通延迟时间
12.7 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD4N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4470
Semtech
分立半导体
稳压二极管 Z MET 16V
1:¥69.5402
10:¥62.5455
25:¥57.0198
100:¥51.4037
参考库存:34374
RN2110MFV,L3F
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:34379
S8010DTP
Littelfuse
分立半导体
SCR 8A 1000V
1:¥13.1419
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2094
1,000:¥5.5822
参考库存:34384
TPN6R003NL,LQ
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
3,000:¥2.4408
参考库存:34389
BCR 141W H6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:184756

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    50万现货SKU

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