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分立半导体
SSM3J325F,LF参考图片

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SSM3J325F,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
3,000
¥0.49946
1498.38
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
311 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
600 mW
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3J325
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
4.4 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
12 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SD1803T-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
1:¥5.9212
10:¥4.8929
100:¥3.1527
1,000:¥2.5312
参考库存:9581
MSB92AWT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:146463
LQA16T300
Power Integrations
分立半导体
整流器 Q-Series 300V 16A Ultra Low Qrr
1:¥13.7521
10:¥12.4526
25:¥11.1418
100:¥9.9892
参考库存:5770
GBU4G-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
桥式整流器 4A 400V
1:¥6.7574
10:¥5.9551
100:¥4.7121
250:¥4.1358
参考库存:7422
APT56M50B2
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥90.7503
10:¥82.5239
25:¥76.2976
50:¥72.1505
参考库存:1894

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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