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分立半导体
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STGW40H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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数量单价合计
1
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74.919
10
¥67.6983
676.983
25
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100
¥56.0141
5601.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW40H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor
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2,500:¥0.71416
8,000:¥0.66896
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FDP060AN08A0
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
1:¥20.5886
10:¥17.4472
100:¥13.9894
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参考库存:17829
SBAS16LT1G
ON Semiconductor
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二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO SPCL TR
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.46104
参考库存:112341
ACTT2S-800E,118
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 AC THYRISTOR TRIAC PWR SWITCH
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
2,500:¥1.7289
参考库存:5523
2DB1694-7
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT PNP SMT 3K
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:26020

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