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分立半导体
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STGW40H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.6983
676.983
25
¥64.5456
1613.64
100
¥56.0141
5601.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW40H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N6622US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥138.538
250:¥126.3227
500:¥118.1754
参考库存:42512
1N3293AR
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥542.7955
参考库存:42517
JAN1N982B-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
455:¥17.1308
500:¥15.368
1,000:¥12.9837
2,500:¥12.2944
5,000:¥11.8311
参考库存:42522
JANTX1N985D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
107:¥73.1562
250:¥67.235
500:¥61.246
1,000:¥53.3247
参考库存:42527
CDLL4582
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 0TC Reference Voltage Zener
105:¥67.7774
250:¥61.8562
500:¥56.4774
1,000:¥47.799
参考库存:42532

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