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分立半导体
SQP25N15-52_GE3参考图片

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SQP25N15-52_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 150Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存：4,056(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.515
17.515
10
¥14.5996
145.996
100
¥11.30
1130
500
¥9.9101
4955.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SQP25N15-52_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST330S08P1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,203.4726
12:¥1,173.5728
30:¥1,157.1313
参考库存:33529
1N5933BPE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.198
4,500:¥5.0059
9,000:¥4.8025
参考库存:33534
VIT3060G-M3/4W
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 30A,60V,TRENCH SKY RECT.
2,000:¥5.0963
3,000:¥4.7573
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:33539
NVMFS6H824NWFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T8 80V U8FL
1,500:¥4.8816
9,000:¥4.6895
参考库存:80983
1N6484HE3/97
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
10,000:¥0.88366
25,000:¥0.81473
参考库存:33546

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