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BSS806NE H6327

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS806
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
BSS806NEH6327XTSA1 SP000999336
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS806NE H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFIB7N50APBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥21.357
10:¥17.7523
参考库存:5631
1SMA5932BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 20V 1.5W
1:¥3.5369
10:¥2.4747
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
5,000:¥0.7458
参考库存:58158
STPS1545FP
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15 Amp 45 Volt
1:¥8.9948
10:¥7.6275
100:¥5.8534
500:¥5.1754
参考库存:10090
2N4092
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:2342
IRFI4229PBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:5509

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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