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分立半导体
STP8NK80Z参考图片

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STP8NK80Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
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库存:8,323(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5887
22.5887
10
¥19.21
192.1
100
¥15.368
1536.8
500
¥13.447
6723.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP8NK80Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STP8NK80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5597
参考库存:4898
分立半导体
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.3844
10:¥2.1244
100:¥1.4577
500:¥1.1865
10,000:¥0.68365
20,000:查看
参考库存:52575
分立半导体
SCR 25 Amp 1200 Volt
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥15.2889
500:¥13.447
参考库存:14722
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:28871
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
2,500:¥3.6838
10,000:查看
参考库存:15504
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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