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分立半导体
IKW20N60T参考图片

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IKW20N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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库存:4,748(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW20N60TFKSA1 IKW2N6TXK SP000054886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW20N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 1A 双向可控硅
1:¥4.8364
10:¥3.2431
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4012
参考库存:22624
分立半导体
整流器 1A 400V Ultrafast
1:¥4.1471
10:¥3.2205
100:¥2.3843
500:¥1.9662
3,000:¥1.3786
6,000:查看
参考库存:49096
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200mA 30 Volt
1:¥2.9154
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.46104
参考库存:191698
分立半导体
MOSFET P-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9043
500:¥6.1133
3,000:¥4.2714
9,000:查看
参考库存:68650
分立半导体
MOSFET Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5153
250:¥22.3627
500:¥20.0575
1,000:¥16.9048
参考库存:9202
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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