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分立半导体
IPD30N08S222ATMA1参考图片

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IPD30N08S222ATMA1

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库存:17,182(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4918
2745.9
2,500
¥3.842
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
17.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPD30N08S2-22 IPD3N8S222XT SP000252169
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD30N08S222ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
3,000:¥2.0001
参考库存:27829
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥4.6104
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:27834
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:27839
分立半导体
稳压二极管 500mW ZENER
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
99,000:¥0.2147
参考库存:27844
分立半导体
桥式整流器 1000 Volt 25 Amp Glass Passivated
1:¥33.8887
10:¥28.1257
100:¥23.1311
200:¥22.4418
参考库存:27849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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