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分立半导体
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TT8J21TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
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数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.0511
50.511
100
¥3.2544
325.44
1,000
¥2.6103
2610.3
3,000
¥2.2035
6610.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSST-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
68 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
TT8J21
商品其它信息
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