NSBC114YPDXV6T1G详细信息_NSBC114YPDXV6T1G相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80, 140
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC114YPDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DSS60601MZ4-13	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 2,500:¥1.11418	参考库存:5464
BYV25FD-600,118	WeEn Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 PWR 600 V 5 A Diode	1:¥5.989 10:¥4.7686 100:¥3.0736 1,000:¥2.4634 2,500:¥2.0792	参考库存:59216
BT134W-600,135	WeEn Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	双向可控硅 600V 1A	1:¥4.0002 10:¥3.164 100:¥1.9888 1,000:¥1.4916 4,000:¥1.2769	参考库存:89513
IRF7205TRPBF	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC	1:¥5.6048 10:¥4.6782 100:¥3.0171 1,000:¥2.4182 4,000:¥2.4182	参考库存:40445
DMG2307L-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 3,000:¥0.66105	参考库存:236207