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分立半导体
IPD50N03S2-07参考图片

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IPD50N03S2-07

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库存:14,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4467
74.467
100
¥5.7178
571.78
500
¥5.0511
2525.55
2,500
¥3.5369
8842.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPD50N03S207ATMA1 IPD5N3S27XT SP000254462
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD50N03S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 FRED Pt - TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
800:¥4.6104
参考库存:29968
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8.0 A 30 V SCHOTTKY DIOD
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
5,000:¥2.0566
参考库存:29973
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:20183
分立半导体
MOSFET 20V 2.0A 3.1W 215mohm @ 4.5V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
2,500:¥1.6159
5,000:查看
参考库存:29980
分立半导体
整流器 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
1:¥7.91
10:¥6.5201
100:¥5.0059
500:¥4.3053
1,000:¥3.7742
参考库存:29985
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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