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分立半导体
FS200R07PE4参考图片

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FS200R07PE4

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库存:2,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,236.1296
1236.1296
5
¥1,206.388
6031.94
10
¥1,176.4204
11764.204
25
¥1,159.8998
28997.495
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
600 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FS200R07PE4BOSA1 SP000711920
商品其它信息
优势价格,FS200R07PE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器
5,500:¥1.8306
参考库存:49081
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 400A 20P/14R
25:¥636.5403
50:¥623.3984
100:¥600.9679
参考库存:49086
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Array
3,000:¥6.4749
6,000:¥5.6161
参考库存:49091
分立半导体
稳压二极管 1W, 12V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.2262
10:¥2.9945
100:¥1.7854
1,000:¥0.75258
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:49096
分立半导体
JFET Gen Purp JFET Engineering Hold
1:¥31.4253
10:¥28.0466
100:¥25.5832
250:¥23.052
参考库存:10810
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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