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FF900R12IP4D

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数量单价合计
1
¥4,364.8171
4364.8171
5
¥4,101.7983
20508.9915
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF900R12IP4DBOSA2 SP000614716
单位重量
825 g
商品其它信息
优势价格，FF900R12IP4D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKV105/10
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 Input Modules - AAP DBC
1:¥384.3582
5:¥374.0526
10:¥359.6112
25:¥332.559
参考库存:57816
S12B
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 100V 12A Std. Recovery
1:¥49.8669
10:¥44.8723
25:¥40.8834
100:¥36.9623
参考库存:57821
BU10105S-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 1000 Volt
1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:57826
FEPB16HT-E3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 500 Volt 16A 35ns Dual Common Cathode
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
800:¥7.2998
参考库存:57831
BYVB32-100HE3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100 Volt 18A 25ns Dual Common Cathode
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
800:¥6.3506
参考库存:57836

  • 海量现货

    50万现货SKU

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