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分立半导体
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)参考图片

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
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库存:14,690(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.2998
72.998
100
¥5.6048
560.48
500
¥4.9946
2497.3
2,000
¥3.4578
6915.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
104 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TJ8S06M3L
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TJ8S06M3L(T6L1,NQ)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:3982
分立半导体
MOSFET PMV65ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:30814
分立半导体
MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
1:¥494.4654
5:¥485.4028
10:¥472.792
25:¥463.5034
参考库存:13751
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:18868
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
8,000:¥0.22261
24,000:查看
参考库存:80390
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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