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分立半导体
CSD17559Q5参考图片

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CSD17559Q5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:40,605(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.4469
5723.45
2,500
¥8.8366
22091.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17559Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
235 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
125 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17559Q5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.35369
参考库存:20588
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.4068
参考库存:226725
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 300mW
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:124582
分立半导体
MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:380864
分立半导体
稳压二极管 33V 500mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:79661
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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