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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-2
If - 正向电流	7.5 A
Vrrm - 重复反向电压	1.2 kV
Vf - 正向电压	1.8 V
Ifsm - 正向浪涌电流	64 A
配置	Single
技术	SiC
Ir - 反向电流	250 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Tube
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
类型	-
商标	Wolfspeed / Cree
Pd-功率耗散	119 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	50
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	-
单位重量	6 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRF3205ZPBF	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg	1:¥10.7576 10:¥9.2208 100:¥7.0851 500:¥6.2602 1,000:¥4.9494	参考库存:17565
SI4946BEY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V	1:¥10.7576 10:¥9.4468 100:¥7.458 500:¥5.8195 2,500:¥5.8195	参考库存:44397
BSC052N03LS	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS	1:¥6.7574 10:¥5.6613 100:¥3.6499 1,000:¥2.9154 5,000:¥2.9154	参考库存:61694
STD7ANM60N	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II	1:¥10.6785 10:¥9.0626 100:¥7.006 500:¥6.1924 2,500:¥4.3392 10,000:查看	参考库存:21491
FDMS3686S	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET	1:¥11.30 10:¥9.605 100:¥7.684 500:¥6.7348 3,000:¥5.198 6,000:查看	参考库存:29223