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分立半导体
BSS806N H6327参考图片

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BSS806N H6327

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库存:35,577(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
550 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS806
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
BSS806NH6327XTSA1 BSS86NH6327XT SP000928952
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS806N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1.0W 39V
1:¥4.3844
10:¥2.7459
100:¥1.4803
500:¥1.1865
7,500:¥0.69156
22,500:查看
参考库存:38688
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.8419
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:43995
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:23452
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.5W 10%
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:151844
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Digital Transtr Driver
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:32246
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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