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分立半导体
SIA459EDJ-T1-GE3参考图片

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SIA459EDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.2261
222.61
500
¥1.8306
915.3
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,SIA459EDJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 450Vcbo 400Vceo 6.0Vebo 300mA 250mW
12,000:¥0.52206
24,000:¥0.48364
45,000:¥0.43053
99,000:¥0.41471
参考库存:48169
分立半导体
变容二极管 Brkdn V 30V min. Gamma .48-.5
1,500:¥99.2027
参考库存:48174
分立半导体
整流器 1A, 200V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
15,000:¥0.60681
22,500:¥0.54579
45,000:¥0.49155
97,500:¥0.45313
参考库存:48179
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Low Vf Schottky 40Vrrm 500mA 250mW
3,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
参考库存:114038
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥768.40
参考库存:48186
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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