PSMN9R5-100PS,127详细信息_PSMN9R5-100PS,127相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	89 A
Rds On-漏源导通电阻	9.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.8 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	82 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	211 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 100 V 9.6 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	22.8 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	25.2 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	52.2 ns
典型接通延迟时间	22 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STTH15RQ06W	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier	1:¥9.9892 10:¥8.5315 100:¥6.5314 500:¥5.7743	参考库存:11976
NRVTS360ETFSWFTAG	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 3A 60V TRENCH SCHOTTKY U8	1:¥3.7629 10:¥2.8589 100:¥1.5481 1,000:¥1.1639 1,500:¥0.99892	参考库存:24958
V30DM60CLHM3/I	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 60V 30A SMPD(TO-263AC)	1:¥13.9894 10:¥11.6051 100:¥8.9948 500:¥7.91 1,000:¥6.4975 2,000:¥6.4975	参考库存:13135
RB228NS100FHTL	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 100V Vr 30A Io SBD TO-263S(D2PAK) 5A	1:¥11.30 10:¥9.6841 100:¥7.4128 500:¥6.5427 1,000:¥5.1641	参考库存:7777
MRFX1K80HR5	NXP Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor	1:¥1,908.8638 5:¥1,868.5906 10:¥1,828.1818 25:¥1,782.0778 50:¥1,735.8156	参考库存:3259