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分立半导体
SI8483DB-T2-E1参考图片

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SI8483DB-T2-E1

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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库存:49,113(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.39
33.9
100
¥2.5086
250.86
500
¥2.0679
1033.95
1,000
¥1.5933
1593.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFoot-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI8
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,SI8483DB-T2-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1000V 1A UltraFast
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
2,000:¥1.2656
参考库存:38305
分立半导体
整流器 FST RECVRY DIODE FLT LD 1.25x2.5mm
1:¥4.3053
10:¥3.1075
100:¥1.8419
500:¥1.03734
3,000:¥0.60681
9,000:查看
参考库存:290242
分立半导体
MOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.752
500:¥10.2943
2,500:¥7.91
5,000:查看
参考库存:12369
分立半导体
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥8.1473
10:¥7.6049
100:¥6.2263
500:¥4.8364
1,000:¥3.8081
2,000:¥3.4578
参考库存:58801
分立半导体
MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.5933
参考库存:60813
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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