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分立半导体
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NGTB50N120FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/50A FAST IGBT FSII
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1
¥71.6872
71.6872
10
¥64.7716
647.716
25
¥61.7771
1544.4275
100
¥53.6298
5362.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
535 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB50N120FL2
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，NGTB50N120FL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-307UR250
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1,000:¥1.6498
2,000:¥1.3673
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