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分立半导体
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FGH50N3

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库存:4,826(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.2348
63.2348
10
¥57.1667
571.667
25
¥54.4773
1361.9325
100
¥47.3357
4733.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—射极饱和电压
1.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
463 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH50N3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH50N3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH50N3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:2062
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
参考库存:44684
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
1,000:¥3.5934
4,500:¥3.5934
参考库存:24286
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥77.7666
10:¥70.0035
25:¥63.7772
50:¥59.3928
参考库存:2588
分立半导体
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:988470
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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