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分立半导体
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ZVN2106A

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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
450 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
700 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVN2106
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
300 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，ZVN2106A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP35N60M2-EP
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分立半导体
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1:¥33.5836
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100:¥24.747
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250:¥266.4766
参考库存:35033
2EZ100D10E3/TR12
Microsemi
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:35038

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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